H

He

helium-هليم ~ عنصري سبک و از خانواده ي گازهاي بي اثر با عدد اتمي 2 و وزن اتمي 4/00 . در الکترونيک از هليم براي آزمايش وجود نشت در محفظه هاي خلأ به عنوان گاز محافظ در جوش کاري قوسي-هليمي (heliarc) استفاده مي شود .

HET

Hall-effect transducer; Hall generator; Hall- effect sensor-تراديسده ي اثر هال ؛ حسگر اثر هال ~ تراديسنده ايکه نوعاً از تراشه ي نيمرساناي ناخالص شده ساخته مي شود و در صورت قرار دادن آن دريک ميدان مغناطيسي و عبور جران در جهت عمود بر ميدان مغناطيسي و عبور جريان در جهت عمود بر ميدان مغناطيسي ، ولتاژ ا ...

HPC

handheld personal computer-رايانه شخصي دستي ~ رده اي از رايانه هاي شخصي با تواناييهاي محدود و تغذيه از باتري که در عين حال معمولاً توانايي عمليات مخابرات سيار نظير نمابر يا پست الکترونيکي را دارند . داده هاي موجود در حافظه ي آنها را مي توان براي ذخيره يا پردازش بيشتر به رايانه هاي بزرگتر و سازگار ب ...

HDLC

high- level data-link control-کنترل رابط داده هاي سطح بالا [ اچ دي ال سي] قرار داد مربوط به خط مخابره ي داده ها طبق استاندارد CCIT .CCIT .TT

HIPPI

high- performance parallel interface-واسط موازي کارايي - بالا[ هيپي] ~ استانداردي براي واسطهاي مورد استفاده در شبکه هاي رايانه اي .

HTL

high-threshold logic-منطق آستانه - بالا [ اچ تي ال] منطقي که با منابع تغذيه بالاتر ( حدود15 ولت ) ، ايمني نويز بيشتر ، و ولتاژهاي آستانه ي بيشتر نسبت به ساير خانواده هاي منطقي ، مشخص مي شود. از افزودن افت ولتاژ يک ديود - زنر به افت ولتاژ عادي ديود در مدارهاي منطقي ترانزيستور - ديود به دست مي آيد . ...

Hz

hertz-هرتز ~ واحد بسامد در سيستم SI که برابر با 1 چرخه در ثانيه است .

HBT or HJBT

heterojunction bipolar transistar-ترانزيستور دو قطبي با پيوند ناهمگون [ اچ بي تي يا اچ جي بي تي] ~ نوعي ترانزيستور دو قطبي که از لايه هاي گاليم آرسنيد ( GaAs) و آلومينيم گاليم آرسنيد ( AlGaAs) ساخته مي شود.

HDTV

high-defintition television-تلويزيون وضوح - بالا [اچ دي تي وي ] ~ نوعي فناوري تلويزيوني با ويژگيهاي : افزايش دقت افقي و عمودي با نسبت تقريباً 2 به 1 در مقايسه با سيستمهاي SECAM، NTSC ~ و ساير سيستمهاي موجود ، رنگهاي بهتر و طبيعي تر، نسبت ظاهري بيشتر براي لامپ تصوير و حداقل 5 به 3 ، و خروجي صداي است ...

HEMT

high-electron mobility transistor-ترانزيستور با تحرک الکتروني بالا [ همت] ~ نوعي ترانزيستور فت پيوندي با ساختار ناهمگون که در واقع گونه اي مسفت ( MESFET) است . اين اصطلاح ابتدا توسط شرکت فوجيتسو ( FUJITSU) به کار رفته است.