IFF

Z

impedance-امپدانس ~ مخالفت کلي يک قطعه يا مدار در مقابل عبور جريان متناوب يا متغير. امپدانس Z بر حسب اهم بيان مي شود و ترکيبي از دو مؤلفه ي مقاومت R و رآکتانس X است به گونه اي که اندازه ي امپدانس برابر با ريشه ي دوم مجموع مربعات R , Z است .همچنين امپدانس را مي توان از رابطه ي Z=E/1 ~ حساب کرد که در ...

in

inch-اينچ ~ واحدي براي طول که برابر با 2/54 سانتي متر است . استفاده از واحد si طول ، ترجيح داده مي شود .

in/s

inchper second-اينچ در ثانيه ~ مقدار نامي سرعت نوار مغناطيسي . مقادير متدواول سرعت است .

in

indium-انديم ~ عنصر فلزي يا عدد اتمي 49 و وزن اتمي 114/82 . به عنوان يک آلاينده ي مهم براي نيمه رساناها استفاده مي شود . و در همان گروه جدول تناوببي عناصر ، آلومينيم ف گاليم قرار دارد .

insb

indium antimonide-انديم آنتيمونيد ~ نوعي آلياژدوتايي نيمه رسانا از آنديم و آنتيموان که تحرک الکتروني بسيار بالاييايجاد مي کند. از آن براي ساخت آشکارسازيهاي زير قرمز ، فيلترهاي زير قرمز، مقاومتهاي مغناطيسي و قطعات اثرذ - مال استفاده مي شود . همچنين برخي از ديودهاي تونلي ، ترانزيستورها و ديودهاي ليزر ...

inAs

indium arsenide-انديم آرسنيد ~ نوعي ترکيب بين فلزي با ويژگي نيمه رسانا . در حسگرهاي اثر هال استفاده مي شود.

inp

indium phosphide-انديم آرسنيد ~ نوعي ترکيب بين فلزي با ويژگيهاي نيمه رسانا . در حسگرهاي اثر هال استفاده مي شود .

inp

indium phosphide-انديم فسفيد ~ ترکيبي فلزي با ويژگيهاي نيمه رسانا .

L

inductance-القا کنايي ~ ويژگي يک مدار يا عنصر مداري در مخالفت با هر گونه تغيير جريان ، القاکنايي منجر به تاخير تغيير جريان نسبت به تغيير ولتاژ مي شود . واجد آن هانري ، ميلي هانري و ميکروهانري است .

LC

inductance - capacitance-القا کنايي - ظرفيت ( ال - سي ) ~ مداري که توسط عناصر پيچک و خازن داراي ويژگيهاي القا کنايي و ظر فيت است .