diffused resistor


اصطلاح
برق و الکترونیک
17 حرف
2 کلمه
معانی و توضیحات
مقاومت نفوذي ~ نوعي مقاومت مدار مجتمع که از طريق فرايند نفوذ در بستر نيمرسانا ساخته مي شود.

مشاوره شغلی تلفنی
پیشنهاد می کنیم برای دریافت مشاوره تخصصی، از مشاوره تلفنی شغل نت استفاده نمایید
حمایت مالی
اگر معانی این واژه برای شما مفید بود در صورت تمایل می توانید با پرداخت تنها 5000 تومان از تیم شغل نت حمایت کنید حمایت مالی
برچسب ها
شغل نت لغت نامه شغل نت مشاوره شغلی و تحصیلی شغل نت diffused resistor معنی diffused resistor معنی diffused resistor به فارسی لغت نامه برق و الکترونیک واژگان تخصصی برق و الکترونیک اصطلاحات تخصصی برق و الکترونیک مخفف های تخصصی برق و الکترونیک diffused resistor در برق و الکترونیک
واژه های مرتبط
diffused reflection
بازتاب پخشيده ~ بازتاب نور ، صدا ، يا امواج راديويي از يک سطح در تمام جهات و طبق قانون کسينوس .

diffuse sound
صداي پخشنده ~ صدايي که با چگالي انرژي يکنواخت در تمام قسمتهاي اتاق يا فضا پخش مي شود.

diffuse transmission
انتقال پخشنده ~ نوعي انتقال که در آن تمام تابش مشاهده مي شود .

diffuse- transmission density
چگالي انتقال پخشيده ~ ميزان چگالي انتقال فوتوگرافيک که از برخورد عادي نور به نمونه و جمع آوري و سنجش تمام شار انتقال يافته از آن به دست مي آيد.

diffusion
پخش ؛ نفوذ ~ 1. پاشيدگي ذرات ، معمولاً به شکل گاز در حجم واحدي نظير محفظه ، اتاق ، ساختمان يا منطقه .2. فرايندي در دماهاي بالا که طي آن اتمهاي دهنده يا پذيرنده به منظور تغيير مشخصات الکتريکي نيمرسانا در ساختار بلوري آن توزيع مي شوند. ابن فرايند در کوره نفوذ و معمولاً در دماهاي بين 850 تا 1150 دره س ...

diffusion bonding
پيوند نفوذي ~ نوعي روش پيوند زني که در آن مولکولهاي يک فلز با نفوذ به شبکه ي بلوري فلز ديگر يک اتصال الکترکي به وجود مي آورند.

diffusion capacitance
ظرفيت نفوذ ~ آهنگ تغيير باربرهاي اقليت انباشته شده در پيوند نيمرسانا يا ولتاژ دو سر آن.

diffusion coefficient
ضريب نفوذ ~ ثابت تناسب در قانون فيک .

diffusion constant
ثابت نفوذ ~ چگالي جريان نفوذ در يک پيوند نيمرسانا بخش بر شيب تراکم باربرها . ثابت به سدت آمده همچنين برابر با حاصل ضرب تحرک رانش باربرها در انرژي ميانگين گرمايي آنهاست.

diffusion length
طول نفوذ ~ مسافت ميانگين طي شده توسط باربرهاي اقليت در فاصله ي بين توليد و باز ترکيب در يک نيمرساناي همگن .