schematic capture

schering bridge

پل شرينگ ~ پل AC چهار بازويي که ظرفيت خازني و ضريب تلفات را اندازه مي گيرد . تعادل پل مستقل از بسامد است .

schiieren photography

عکسبردار شليرن ~ سيستم نوري طراحي شده براي عکسبرداري از تغييرات چگالي گاز در اثر امواج صدا ، امواج شوک يا تلاطم در تونلهاي باد . بله چاقو مانند در نقطه کانوني باريکه نور را به هنگام تغيير ضريب شکست گاز با تغييرات چگالي ، ارسال يا قطع مي کند .

Schmitt trigger

اشميت تريگر ~ مدار تريگر دو پايا که سيگنال ورودي AC را با عملکرد سوييچينگ به سيگنال خروجي موج مربعي تبديل مي کند. به اين مدار در نقطه از پيش تعيين شده اي در هر نوسان مثبت و منفي سيگنال ورودي فرمان داده مي شود.

Schottky barrier

سد شاتکي ~ پله پتانسيل الکتريکي در حد واسط بين فلز و نيمرسانا در قطعه حالت - جامد . اين سد معمولاً حاملهاي بار الکتريکي رادر نيمرسانا از مرز مشترک دفع مي کند. گيت MESFET در حقيقت يک ديود سد شاتکي است.

Schottky barrier diode; hot-carrier diode; Schottky diode

ديود سد شاتکي ؛ ديود حاملهاي داغ؛ ديود شاتکي ~ ديود نيمرساناي ساخته شده از اتصالي بين لايه نيمرسانا و فلز که داراي مشخصه يکسوسازي غير خطي است. حاملهاي داغ( الکترونهاي ماده نوع N يا حفر هاي ماده نوعP ) ، از سد شاتکي نيمرسانا گسيل مي شوند و به سوي پوشش فلزي که بيس ديود است ، مي روند . حاملهاي اکثريت ...

Schottky-clamped transistor

ترانزيستور جهش - شاتکي ~ مدار منطقي که شامل ديود سد شاتکي براي جلوگيري از اشباع است و در نتيجه سرعت سوييچينگ بالاتري دارد . اين ساختار در بعضي از منطقهاي ترانزيستور- ترانزيستور ( TTL) و منطق تزريق مجتمع ( Iبه توان دو L) به کار مي رود.

Schottky effect

اثر شاتکي ~ افزايش جريان آند لامپ گرمايوني فراتر مقدار پيش بيني شده در معادله ريچاردسون. اين افزايش ناشي از پايين آمدن تابع کا رکاتد به هنگام توليد ميدان الکتريکي در سطح کاتد به وسيله آند است. اثر مشابهي الکترونها را از سطح ماده نيمرسانا به هنگام اعمال ميدان الکتريکي دور مي کند.

Schottky emission

گسيل شاتکي ~ تزريق الکترون از روي سد پتانسيل نيمرسانا به داخل ناحيه اي که سطوح انرژي مجاز دارد.

Schottky I2L

I به توان دو L شاتکي ~ مدار منطقي تزريق مجتمع که داراي ديودهاي سد شاتکي براي جهش است.

Schottky power diode

ديود قدرت شاتکي ~ ديود سد شاتکي که اتلاف حرارتي آن در سطح سيليسيمي بزرگي انجام مي شود اما ظرفيت خازني ديود به دليل کوچک بودن سطح تماس فلز- نيمرسانا ، کم است.